單晶氧化鎂是指氧化鎂含量在99.95%以上，具有極強的耐高低溫(高溫2500℃，低溫-270℃)抗腐蝕性、絕緣性和良好的導熱性和光學性能、無色透明的晶體。氧化鎂是極好的單晶基片而廣泛應用于制作鐵電薄膜、磁學薄膜、光點薄膜和高溫超導薄膜等，由于它在微波波段的介電常數和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英寸及更大），所以是當前產業化的重要高溫超導薄膜單晶基片之一。單晶氧化鎂可用于制作移動通訊設備所需的高溫超導微波濾波器等器電器。

  單晶氧化鎂的指標參數：晶格常數a=4.212、分子量40.311、密度(g/cm)3.65、熱膨脹數(×10-⒎/℃)(25℃)138、融點(℃)2800、沸點(℃)3600、導熱率(cal/cm/sec/℃）(25℃)0.06、比熱(cal/g.℃)0.209、莫氏硬度5.5、電容率(1mnz)(25℃)、折射率No=1.74(λ=0.633μ)、透光率：光波長200-2000透過率92%、光波長2.5-7微米時透過率大于92%、晶相（100）（111）（110）

  單晶氧化鎂一般是在大功率，三相電弧爐熔制，這種方法的優點：生產量大，設備結構簡單。由于石墨電極在熔制過程中進入單晶氧化鎂使純度降低。若想得到超高純度的氧化鎂單晶，需采用無接觸熔制，一般多采用激光法熔制氧化鎂單晶。由于激光高能量密度使氧化鎂粉瞬間變成液態，由于是無接觸加工，不存在電極消耗，因此可以得到高純度氧化鎂單晶,可以達到99.9%。

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